CY-PLD-450 PLD脈沖激光濺射鍍膜儀

PLD脈沖激光濺射鍍膜儀系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。

二、設備概述  

PLD脈沖激光濺射鍍膜儀按外觀結構可分為五部分：PLD沉積室、真空測量系統、真空獲得系統、工作臺、電控柜組成。                      

2.1 PLD沉積室  

球型真空室結構，尺寸Φ450mm，選用1Cr18Ni9Ti不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面噴玻璃丸亞光處理。真空漏率小于5.0×10-8Pa.I/S。接口密封采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，真空室下方為Φ220的圓筒，安裝到工作臺面上。下方連接CF150刀口法蘭，連接CF150手動插板閥。連接CF150旁抽管組件，連接620分子泵系統。真空室前方，有一帶觀察窗膠圈密封門，通徑Φ150mm，用于進出樣品及靶材更換維護。觀察窗的左側，安裝旋轉靶臺。旋轉靶臺的正對面，安裝樣品加熱臺。與旋轉靶臺在同一水平面上，成135°角，布置兩個通徑Φ100mm的入射觀察窗。配有紅外，紫外石英各一塊。在真空室上方，留有通徑Φ100mm的操作，試驗觀察窗兩個。并有CF35備用法蘭口兩個，用于設備的升級。真空室體安裝電阻規，電離規，KF40手動予抽角閥，Φ10手動放氣閥，CF35烘烤照明電極。

2.1.1        旋轉靶臺                        

1、每次可以裝四塊靶材，靶材尺寸：（i）Φ60mm~Φ25mm；

  2、每塊靶材可實現自轉，轉速5-50轉/分，連續可調，由步進電機驅動磁力耦合機構控制；

  3、靶位公轉換位機構，由步進電機驅動磁耦合機構控制；

  4、靶材屏蔽罩將三塊靶材屏蔽，每次只有一個靶材露出濺射成膜，以避免靶材之間的交叉污染。

2.1.2 樣品加熱臺組件                                                          

  1、襯底尺寸：Φ60mm，可放置Φ10mm—Φ60mm樣品，采用機械固定方式，通過更換襯底蓋更換；

  2、樣品加熱，*高溫度800℃±1℃；由熱電偶閉環反饋控制；（如做氧化物研究可特殊制作加熱器）

  3、襯底可連續回轉，轉速5~50轉/分，步進電機驅動轉軸機構完成；

  4、靶與襯底之間距離可調20-80mm，由移動襯底腔外手動波紋管調節機構完成；

2.1.3 窗口配件  

1、Φ100mm石英玻璃窗口（248nm紫外波段，供激光入射用的）                

2、Φ100mm石英玻璃窗口（紅外波段）                                      

3、Φ100mm光學玻璃窗口                                                  

2.1.4真空獲得系統  

配置KYKY-160/620分子泵1臺，

配置2XZ-8B機械泵1臺，  

配置Ф40波紋管管路4根。   

配置放氣閥1只，      

配置KF40帶放氣電磁真空角閥2只，  

配置KF40帶充氣電磁真空角閥1只，   

配置CF150手動插板閥1只，  

配置CF35手動角閥2只，  

配置分子篩一套  

2.1.5真空氣路  

配置七星華創26C質量流量計兩路，N2氣標定。100 SCCM。通過混氣罐，通過手動角閥進入。  

2.1.6 真空測量系統  

真空測量系統由測量規管和真空計組成。該機配有直插式電阻規、金屬電離規。測量真空度大氣~2X10-5Pa。   

2.1.7 工作臺  

工作臺由機架、圍板組成。機架是該設備的骨架，安裝著支撐部件。內部安裝氣路，水排等部件。

2.1.8 電控柜  

電控柜上安裝有觸摸屏控制單元，流量顯示儀，基片加熱電源，電離電源，620L分子泵電源、總電源六部分組成。

1.真空控制單元由PLC+觸摸屏控制，控制真空獲得系統，樣品旋轉運動過程和照明系統。PLC為韓國LG產品，觸屏屏為北京昆侖通泰產品，7寸彩屏。   

2.基片及有機加熱控制電源由導電SR3表組成。 控溫精度±0.5℃。*高加熱溫度800℃。   

3.流量顯示儀 一帶二，北京七星華創。

4. 電離電源用于對基片的清洗，3KW/1KW。

5. FF160/620分子泵電源控制分子泵的啟停和運轉情況。   

6.*下面為總電源區箱，當空氣開關合閘時，設備整體上電。帶有相序報警。

三、主要技術參數:  

PLD沉積室極限真空度：優于5x10－5Pa  

PLD沉積室抽速：40分鐘優于7x10－4Pa  

PLD沉積室保壓：12小時<10Pa

基片加熱：800℃，控溫精度: ±0.5℃  

基片運動速度：5~50轉/分  

靶位：4位。  

基片尺寸：Φ60一片。  

四、運行環境  

供電：～380V三相五線制供電系統，功率<7KW

冷卻水:循環量>15L/Min，冷卻水溫度15℃～30℃。制冷量>600W。（建議采用去離子水，獨立水箱）  

工作環境溫度：10℃～40℃。工作環境濕度：30%~60%  

占地空間：2000X2500mm