1 產品概述:
電子束光刻（E-beam Lithography，簡稱EBL或EBD）設備，是在電子顯微鏡基礎上發展起來的一種用于微電路研究和制造的曝光技術。它作為半導體微電子制造及納米科技的關鍵設備，主要通過高能量電子束與光刻膠的相互作用，實現高精度的曝光和圖形制作。電子束光刻設備主要包括電子光學系統、圖形發生器系統、真空系統以及高精度運動系統等核心組件。
2 設備用途：
電子束光刻設備具有廣泛的應用域，主要包括：
半導體制造：用于制作光刻掩模版，是半導體芯片制造中一部分。特別是在EUV光刻機掩模版的制作上，目只能依賴于電子束光刻技術。
納米科學技術研究：由于電子束光刻具有高的分辨率，它能夠制造出微米甚至亞微米別的精細結構，因此在納米科技域有著廣泛的應用。
集成電路制造：在集成電路的制造過程中，電子束光刻技術用于制作高精度、高密度的芯片結構，提高芯片的性能和可靠性。
3 設備特點
電子束光刻設備具有以下顯著特點：
高分辨率：相比于傳統光刻技術，電子束光刻技術可以實現更高的分辨率，能夠制造出更精細的圖案和結構。
高精度：電子束光刻設備具有高的制造精度，能夠滿足微納加工域對精度的嚴格要求。
靈活性：電子束光刻技術可以靈活曝光任意圖形，適應不同形狀和尺寸的加工需求。
高速度：現代電子束光刻設備已經實現了高速、連續的加工過程，大大提高了生產效率。
真空環境：設備中的真空系統提供了穩定的真空環境，消除了空氣對加工過程的干擾，保證了設備的穩定性和生產效率。
4 技術參數和特點：
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電子槍 | ZrO/W 熱場發射型 | |||
加速電壓 | 50 kV | |||
光束電流 | 1 nA ～ 800 nA | |||
小光束直徑 | D 2.8 nm | |||
標準寫場大小 | 1000 μm | |||
小/大寫場大小 | 小 100 μm 大（選項）3000 μm | |||
掃描頻率 | 大 100 MHz | |||
發射間距 | 小 0.2 nm | |||
大試樣尺寸 | 8" 晶片 / 12" 晶片 | |||
大繪圖區域 | 200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm | |||
搬送機構 | 單自動加載器 多自動加載器 機器人裝載機 | |||
Software | elms 束流調整功能 曝光文件功能 圖案數據轉換功能 帳戶管理功能 Python腳本 | |||
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