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    深圳市矢量科學儀器有限公司

    當前位置:深圳市矢量科學儀器有限公司>>半導體前道工藝設備>>3 CVD>> PlasmaPro 80 PECVD等離子增強化學氣相沉積PECVD

    等離子增強化學氣相沉積PECVD

    參  考  價:面議
    具體成交價以合同協議為準

    產品型號PlasmaPro 80 PECVD

    品牌OXFORD/英國牛津

    廠商性質經銷商

    所在地國外

    更新時間:2025-06-06 07:37:08瀏覽次數:684次

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    PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

    1. 產品概述

    PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

    2. 特色參數

    直開式設計允許快速裝卸晶圓

    出色的刻蝕控制和速率測定

    出色的晶圓溫度均勻性

    晶圓大可達200mm

    購置成本低

    符合半導體行業 S2 / S8標準

    小尺寸系統——易于安置

    優化了的電冷卻——襯底溫度控制

    高導通的徑向(軸對稱)抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

    增加了<500毫的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

    近距離耦合渦輪泵——提供優秀的泵送速度加快氣體的流動速度

    關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單

    X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力, 并且可以實現更快更可重復的匹配

    通過端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快

    用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

    用發射光譜(OES)實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點監測 


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