賽默飛助力Sb?(S, Se)?薄膜光伏材料突破！

作為新興光伏吸收層材料，Sb?(S, Se)?憑借其帶隙可調（1.1–1.7 eV）、光吸收系數超高（>10? cm?1）、元素儲量豐富且低毒性等核心優勢，成為光伏領域的研究熱點。然而，材料中深能級缺陷引發的載流子陷獲與非輻射復合問題，長期制約著其光電轉換效率的突破，亟需通過精準調控策略破解這一難題。

本研究圍繞溶液法制備的Sb?(S, Se)?薄膜，創新性地采用“前驅體Sb/S原子比+后續硒化溫度" 雙參數協同優化策略，結合瞬態吸收譜(TAS)與X射線光電子能譜(XPS)等先進表征技術，系統揭示了配比與溫度這兩個參數對薄膜晶體質量與缺陷態的耦合影響，實現薄膜結晶質量提升與深陷阱缺陷的有效抑制。

在實驗中，賽默飛Nexsa G2 X射線光電子能譜儀的高精度表征成為關鍵支撐。研究團隊通過該設備對不同Sb/S原子比（2/2.55、2/3.55、2/4.55）的Sb?(S, Se)?薄膜樣品進行表征分析，不僅精準驗證了Sb³⁺、S^2-、Se^2-三種目標元素的化學態，更成功鎖定了銻氧（Sb-O）雜質的分布規律——當Sb/S為2/3.55時銻氧雜質含量近乎為0，對應樣品的銻氧誘導缺陷最少，有效抑制了深陷阱引發的非輻射復合，顯著降低了薄膜缺陷密度。同時，設備清晰地捕捉到S2p與Se3p/3d峰位及強度的協同演化規律，為后續硒化溫度的優化奠定了重要基礎。

不同Sb/S比條件下的Sb 3d、S 2p/Se 3p與Se 3d高分辨XPS譜圖

賽默飛納米港的葛青親博士和史南南應用專家在此次研究中提供了重要支持，其先進設備在科研中的應用再次得到了證明。Nexsa G2 X射線光電子能譜儀的高分辨率與穩定的表征性能，不僅為實驗提供了可靠的核心數據支撐，更幫助團隊建立起“化學態-微結構-缺陷態-光電性能"的完整關聯鏈路，為雙參數優化策略的科學性和有效性提供了直接佐證。賽默飛將始終以頂尖的儀器設備、專業的技術服務與深度的合作支持，賦能前沿科研探索。