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| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 5萬-10萬 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,地礦,電子/電池,電氣,綜合 |
otsuka大塚電子 OPTM-A3 顯微薄膜厚度計
otsuka大塚電子 OPTM-A3 顯微薄膜厚度計
OP™（Optimum）是一款利用顯微光譜技術測量微觀區域絕對反射率的儀器，能夠高精度地分析薄膜厚度和光學常數。它可以
無損、非接觸地測量各種薄膜、晶圓、光學材料等表面涂層和多層膜的厚度。其測量速度極快，每點測量僅需1秒。此外，它還配備了配套軟件，即使是初學者也能輕松分析光學常數。
特征
所有薄膜厚度測量所需的功能都集成在主機中。
利用顯微光譜技術進行高精度絕對反射率測量（多層膜厚度、光學常數）
高速測量，每點測量時間僅需1秒
可在顯微鏡下實現寬測量波長范圍（紫外到近紅外）的光學系統
區域傳感器安全機制
簡易的分析向導，即使是初學者也能輕松分析光學常數
配備宏功能，可自定義測量序列
也可以分析復雜的光學常數（多點分析法）。
兼容300mm舞臺
支持多種自定義選項
規格
規格
類型OPTM-A1OPTM-A2OPTM-A3
波長范圍230至800納米360至1100納米900至1600納米
薄膜厚度范圍*11納米至35微米7納米至49微米16納米至92微米
樣本量*2 尺寸 200 x 200 x 17 毫米
斑點直徑φ5、φ10、φ20、φ40 微米
*以上規格包含自動XY平臺。
*1 薄膜厚度范圍按SiO2計算。
*2 有關 300 毫米平臺的問題，
類型自動XY平臺類型固定框架類型內置式頭部
尺寸
（寬 x 深 x 高）556×566×618 毫米368×468×491毫米210×441×474 毫米
90×250×190 毫米*
重量66公斤38公斤23公斤
4公斤*
最大功耗交流100V±10V 500VA交流100V±10V 400VA
*交流/直流電源單元
測量項目
測量項目
反射率測量
薄膜厚度分析
光學常數分析（n：折射率，k：消光系數）
SiO?SiN薄膜厚度測量
半導體晶體管通過控制電流來傳輸信號，但為了防止電流泄漏或另一個晶體管的電流流經意外路徑，晶體管之間嵌入了一層絕緣膜。二氧化硅 (SiO2) 和氮化硅 (SiN) 常用作絕緣膜。SiO2用作絕緣膜，而 SiN 則用作介電常數高于 SiO2 的絕緣膜，或者在采用化學機械拋光 (CMP) 去除多余的 SiO2 時作為阻擋層，之后 SiN 也會被去除。因此，必須測量這些薄膜的厚度，以評估其作為絕緣膜的性能并實現精確的工藝控制。
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